• A
  • A
  • Zuiniger chip dan ooit

    - De ontwikkeling van de gangbare elektrische geheugenchips botst op niet al te lange tijd op zijn grenzen. TU/e en Fom komen nu met een revolutionaire, energiezuinige opossing. Een stroom nieuw onderzoek en vindingen zal nu loskomen.

    Onderzoekers van de Technische Universiteit Eindhoven en Stichting FOM zijn erin geslaagd om zeer energiezuinig de beweging van magnetische domeinwanden te beheersen, middels elektrische velden. De vinding is van groot belang voor de ontwikkeling van het racetrack-geheugen, een veelbelovende nieuwe technologie voor dataopslag.

    Kwetsbare bewegende delen 

    Promovendus ir. Sjors Schellekens en collega's van de groep Fysica van Nanostructuren van prof.dr. Bert Koopmans publiceerden dit 22 mei online bij Nature Communications. Zij lossen namelijk het probleem van elektrische geheugenchips en hun grenzen op. Die grens is onvermijdelijk doordat elke bit  verbonden is met een - relatief grote en kostbare - transistor. Bij magnetische opslag, zoals op een harde schijf, is dat niet het geval.

    Maar een harde schijf is veel te traag om de geheugenchip te vervangen en is kwetsbaar door zijn bewegende delen. Daarom is in 2002 het concept bedacht van het racetrackgeheugen, waarin je veel meer data op moet kunnen slaan dan in de huidige chips. In dit geheugen stromen de magnetische bits - ultrakleine gebiedjes met een verschillende magnetisatie - door een nanodraad heen en weer langs de lees- en schrijfkop.

    Alle onderdelen staan stil, alleen de data beweegt. Cruciaal hiervoor is beheersing van de 'wandjes' die de magnetische bits begrenzen: als het ene wandje sneller beweegt dan het andere, halen ze elkaar in en gaat data verloren.

    Horde omzeild

    Tot dusverre kon men de snelheid van de wandjes alleen beheersen met magneetvelden en stromen, wat niet energiezuinig is. De aanname was dat het niet kon met elektrische velden, doordat die alleen doordringen in de buitenste laag van het magnetische opslagmateriaal.

    De Eindhovense onderzoekers hebben deze horde omzeild door een ultradun opslagmateriaal te gebruiken, slechts enkele atomen dik. Daardoor bestaat het materiaal grotendeels uit 'buitenste laag', waar de elektrische velden wel diep genoeg in doordringen. De onderzoekers zijn er zo in geslaagd de snelheid van de wandjes met meer dan een factor tien te veranderen. "En onze berekeningen laten zien dat het effect nog vele malen groter kan worden", zegt Schellekens.

    Extreem zuinig en duurzaam

    Een groot voordeel van de elektrische velden is dat er amper energieverbruik is, en een zeer kleine stroomvoorziening dus volstaat. Hierdoor wordt het mogelijk om data beschikbaar te maken op plaatsen waar dat nu niet kan. Denk aan compacte autonome elektronica, bijvoorbeeld in het menselijk lichaam of in kleding, vertelt hoogleraar Koopmans.

    Op korte termijn verwacht hij dat de vinding een stroom van nieuw onderzoek gaat uitlokken om het effect te verbeteren en om nieuwe mogelijkheden te ontdekken. De eerste toepassingen verwacht hij binnen een termijn van tien jaar.

    'Electric-field control of domain wall motion in perpendicularly magnetized materials' van A.J. Schellekens , A.v.d. Brink,  J.H. Franken, H.J.M. Swagten en B. Koopmans (allen Technische Universiteit Eindhoven) verscheen gisteren, 22 mei, bij Nature Communications. doi: 10.1038/ncomms1848. http://bit.ly/LpP6Ja